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碳化硅,也称为SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以用氮或磷掺杂SiC以形成n型半导体,或用铍,硼,铝或镓掺杂SiC以形成p型半导体。尽管存在许多品种和纯度的广州碳化硅,但在过去的几十年中,半导体级质量的广州碳化硅才浮出水面。
最简单的碳化硅制造方法是在高达2500摄氏度的高温下熔化硅砂和碳(例如煤)。较深,更常见的碳化硅版本通常包含铁和碳杂质,但纯碳化硅晶体是无色的,当碳化硅在2700摄氏度升华时会形成。一旦加热,这些晶体就会以一种称为Lely方法的过程在较低的温度下沉积到石墨上。
-Lely方法:在此过程中,通常通过感应将花岗岩坩埚加热到很高的温度,以升华广州碳化硅粉末。较低温度的石墨棒悬浮在气体混合物中,这固有地使纯碳化硅沉积并形成晶体。
-化学气相沉积:或者,制造商使用化学气相沉积来生长立方SiC,化学气相沉积通常在碳基合成工艺中使用,并在半导体行业中使用。在这种方法中,一种特殊的化学气体混合物进入真空环境,并在沉积到基板上之前合并。
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