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    碳化硅，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以用氮或磷掺杂SiC以形成n型半导体，或用铍，硼，铝或镓掺杂SiC以形成p型半导体。尽管存在许多品种和纯度的广州碳化硅，但在过去的几十年中，半导体级质量的广州碳化硅才浮出水面。

    ***简单的碳化硅制造方法是在高达2500摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。较深，更常见的碳化硅版本通常包含铁和碳杂质，但纯碳化硅晶体是无色的，当碳化硅在2700摄氏度升华时会形成。一旦加热，这些晶体就会以一种称为Lely方法的过程在较低的温度下沉积到石墨上。

    -Lely方法：在此过程中，通常通过感应将花岗岩坩埚加热到很高的温度，以升华广州碳化硅粉末。较低温度的石墨棒悬浮在气体混合物中，这固有地使纯碳化硅沉积并形成晶体。

    -化学气相沉积：或者，制造商使用化学气相沉积来生长立方SiC，化学气相沉积通常在碳基合成工艺中使用，并在半导体行业中使用。在这种方法中，一种特殊的化学气体混合物进入真空环境，并在沉积到基板上之前合并。

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