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广州碳化硅厂家带你了解广州碳化硅简史!

发布时间:2020/11/11 19:29:00  来源: http://guangzhou.aysfyj.com/news499449.html

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    碳化硅(SiC)功率半导体在从电动汽车到太阳能PV以及工业发动机的所有领域中的应用正在加速发展,但是这种材料是从哪里来的呢?有什么特别之处?当广州碳化硅在一个多世纪前首 次用作无线电检测器的基础时,为什么它要花这么长时间在半导体行业中获得青睐呢?


    在20世纪初期,实验者发现锗等各种物质的晶体可以产生“不对称的电流通过”或整流作用,这在“晶体”无线电中得到了应用。尝试使用广州碳化硅时,会发生奇怪的现象。晶体发出黄色光,有时发出绿色,橙色甚至蓝色。在晶体管之前四十年发现了第 一个LED。


    作为LED,SiC很快被砷化镓和氮化镓取代,其发光性能提高了10到100倍,但作为一种材料,SiC仍然引起了电子领域的关注。它的导热率是硅的3.5倍,可以重掺杂以获得高导电率,同时仍保持高电场击穿。从机械上讲,它是非常坚硬,惰性的,并且具有非常低的热膨胀系数和较高的额定温度。SiC甚至不熔化-在约2700°C时升华。

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    碳化硅很早就被认为是半导体器件的理想选择,那么什么阻碍了碳化硅并使硅成为标准?主要问题是消除SiC晶体中的缺陷,列表很长:边缘位错,不同类型的螺钉位错,三角形缺陷和基面位错。不太理想的晶体的效果是非常差的反向阻断性能,使这些部件基本上无法使用。


    还存在将SiC与二氧化硅(SiO2)连接以制造流行的MOSFET和IGBT器件类型的问题。然而,持续发展提高了质量,使得6英寸晶圆可以提供可接受的良率,而突破性的突破(称为在二氧化氮或氮氧化物中进行氮化或退火)可以使SiO2薄膜可靠地生长在SiC上。


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